Presisjonsstøping av silisiumløselig ansiktslagsprosess

Presisjonsstøping av silisium-oppløselig ansiktslagsprosess er en ofte brukt overflatebehandlingsprosess for å forbedre overflatekvaliteten og ytelsen til støpingen. Denne prosessen inkluderer hovedsakelig følgende trinn:

1. Støpeforberedelse: Først, ren og rustfjerning av behandlingen av behandlingen av behandlingen er nødvendig for å sikre at overflaten er ren og det er ingen urenheter.

2. Belegg silikonløsning: Påfør silikonløsning på overflaten av støpegodset, kan utføres ved spraying, nedsenking eller børsting. Etter belegg er det nødvendig å tørke, og det er vanligvis tørt eller tørt.

3. Silisiumløselig gel: Plasser støpegodset belagt med silisiumløselig i miljøet med konstant temperatur, slik at den silisiumløselige reaksjonen oppstår. Geltid og temperatur kontrolleres i henhold til typen og kravene til silikonløsningen.

4. Silisiumløselig sintring: Sett den geliserte støpen inn i en sintringsovn for sintringsbehandling. Sintringstemperaturen og -tiden kontrolleres i henhold til typen og kravene til silikonløsning, vanligvis over 1000 ° C.

5. Silisium-fast gløding: Støpingen etter sintring må glødes for å eliminere indre stress og forbedre de mekaniske egenskapene til materialer. Temperaturen og tiden for glødetemperaturen og tiden styres i henhold til materialene og kravene til støpingen.

6. Overflatebehandling: Overflaten av støpingen av den silisiumløselige prosessen vil bli jevn og jevn, og den har en viss slitestyrke og korrosjonsbestandighet. Etter behov kan ytterligere polering, sprøyting og annen overflatebehandling utføres.

Depresisjonsstøping av silisium-Oppløselig ansiktslagsprosess kan forbedre overflatekvaliteten og ytelsen til støpingen, slik at den har bedre slitestyrke og korrosjonsmotstand, og er egnet for komponenter og komponenter i ulike industrielle felt. Samtidig kan denne prosessen også forbedre størrelsenøyaktigheten og overflateglattheten til støpingen, og forbedre den generelle kvaliteten og påliteligheten til produktet.